Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2111U001318, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи "Etchability" of ion tracks in Si02/Si and Si3N4/Si thin layers Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20872 Видання Sumy State University Опис We have calculated radii and lifetime of the molten regions or the regions heated to the melting point that are formed under irradiation of amorphous SiO2 and Si3N4 with swift ions. A computer simulation was carried out on the base of thermal spike model. A comparison of calculated track parameters with ion track etching data have been made for these materials. It is shown that an existence of molten region along swift ion trajectory may be a criterion for a track “etchability” in the case of SiO2. In the same conditions of chemical etching diameter of etched tracks in SiO2 is proportional to the radius and lifetime of the molten region. This information is important for a correct choice of irradiation regime aimed at preparation of nanoporous layers with high pore density (􀂕 10 10 cm-2). When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20872 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
"Etchability" of ion tracks in Si02/Si and Si3N4/Si thin layers
"Etchability" of ion tracks in Si02/Si and Si3N4/Si thin layers : публікація 2011-01-01; Сумський державний університет, 2111U001318
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку