Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U001327, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Temperature dependence of resistivity of porous silicon formed on N-substrates Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20638 Видання Видавництво СумДУ Опис Results of measurement of resistivity of mesoporous silicon formed on n-type substrates in a wide temperature range are presented. Measurements show that at low temperatures there is a growth of resistance of four orders of magnitude compared to that at room temperature which occurs in a relatively narrow temperature range. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/20638 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити