Information × Registration Number 2112U000380, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2012 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27791 popup.publisher Сумський державний університет Description Досліджено товщинні (d) залежності термоелектричних (ТЕ) параметрів (концентрації n, рухливо- сті , провідності , коефіцієнтів Зеєбека S і термоелектричної потужності S2 ) наноструктур n-PbTe легованих вісмутом із вмістом Bi 2 ат. %, вирощених з парової фази на ситалі. Немонотонний хід d- залежностей досліджуваних параметрів пояснено квантуванням енергетичного спектру електронного газу у квантовій ямі структури ситал/n-PbTe:Bi. На базі цього припущення для зазначеної структури побудовано та співставлено з експериментальними теоретичні d-залежності відповідних ТЕ парамет- рів. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27791 popup.nrat_date 2025-03-24 Close
Article
Стаття
:
published. 2012-01-01;
Сумський державний університет, 2112U000380