Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2112U000400, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27797 Видання Сумський державний університет Опис The effect of impurity concentration ratios on the depth profile of electric field within monolayer film is presented. SnO2 monolayer thin film material was prepared and doped with Co using spray chemical pyrolysis. The concentration ratios of impurity were 1 %, 3 %, 5 % and 7 %. The analysis utilizes matrix formulas based on Abele's formulas from the calculation of reflectance and transmittance. Present study gives an information to contamination sensitivity in optical coating issue. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27797 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film
Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film : публікація 2012-01-01; Сумський державний університет, 2112U000400
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку