Information × Registration Number 2112U000943, Article popup.category Стаття Title popup.author popup.publication 01-01-2012 popup.source_user Сумський державний університет popup.source http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29661 popup.publisher Сумський державний університет Description В роботі з використанням традиційного квазіхімічного підходу проведено розрахунок концентрації нейтральних і заряджених точкових дефектів, положення рівня Фермі та вільних носіїв струму у монокристалах та плівках сульфіду цинку у залежності від умов їх осадження. Для розрахунків використані експериментально знайдені енергії залягання дефектів в забороненій зоні ZnS. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/29661 popup.nrat_date 2025-03-24 Close
Article
Стаття
:
published. 2012-01-01;
Сумський державний університет, 2112U000943