Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2112U000946, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815 Видання Сумський державний університет Опис На вирощених шаруватих кристалах p-InSe і n-SnS2-xSex при допомозі атомно-силового мікроскопа проведені дослідження поверхні цих матеріалів. Методом оптичного контакту створено гетеропереходи p-InSe–n-SnS2-xSex і досліджені їх спектральні та вольт-амперні характеристики. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27815 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі
Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі : публікація 2012-01-01; Сумський державний університет, 2112U000946
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21


Роздрукувати цю сторінку