Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2112U001027, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи The Annealing Effects of ZnO Thin Films on Characteristic Parameters of Au/ZnO Schottky Contacts on n-Si Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/24907 Видання Видавництво СумДУ Опис 200 nm ZnO thin films have been grown on n type Silicon substrates by DC sputtering technique. One of the thin films has been annealed at 300 ºC for 45 minutes. The Au front contacts on ZnO thin films have been formed by evaporation of Au metal by means of shadow mask. It has been seen that the rectification ratio of Au/ZnO device obtained using annealed ZnO thin film is higher than the one obtained using unannealed ZnO thin film. The characteristic parameters of Au/ZnO junctions such as ideality factor, barrier height and series resistance obtained by current-voltage (I-V) measurements of the structures at room temperature and in dark have been compared with each others. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/24907 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
The Annealing Effects of ZnO Thin Films on Characteristic Parameters of Au/ZnO Schottky Contacts on n-Si
The Annealing Effects of ZnO Thin Films on Characteristic Parameters of Au/ZnO Schottky Contacts on n-Si : публікація 2012-01-01; Сумський державний університет, 2112U001027
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку