Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2112U001529, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Raman and Photoluminescence Study of ZnO Films Grown by Chemical Method Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35010 Видання Sumy State University Опис In this paper phonon and emission properties of ZnO films grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) at ambient pressure and by molecular beam epitaxy (MBE) are investigated using Raman and photoluminescence (PL) spectroscopy. It is shown that high-frequency shift of non-polar phonon modes corresponds to elastic compressive strain in the plane parallel to c-axis and is equal to 3.2×10−3 and 2.2×10−3 for ZnO film grown by MOCVD and MBE, respectively. The possibility of obtaining highquality ZnO films grown by MOCVD was demonstrated. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35010 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити