Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2112U001545, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Mott–Schottky Analysis of SnO2 Nanoparticles by Impedance Measurements underUltrahigh Pressure Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34827 Видання Sumy State University Опис In this study, the SnO2 nanoparticle powders were compacted into a disk shape form of under a ultrahigh pressure up to 49.6 GPa. Complex impedance analysis of nano-SnO2 thick film/electrode system was studied as a function of applied potential. A calculated Mott– Schottky plot for the film is presented. Both flat-band potential and donor concentration were estimated from the space charge capacitance at a definite frequency. The film can be described as an n-type semiconductor with a high concentration of donors. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34827 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити