Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2112U001620, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Properties of GaN Films Obtained by Nitridation of Porous GaP (001) Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34882 Видання Sumy State University Опис With the help of nitridation of porous GaP (001) in nitrogen plasma thin films of cubic-GaN were obtained. The conclusion was made that the quality of the GaN films is dependent on the degree of porosity of the GaP substrate. XPS spectra were used to investigate the chemical composition of porous GaP substrates, obtained by electrochemical etching. From XPS measurement we determined that the annealing in atomic nitrogen leads to the formation of GaN films. X-ray diffraction measurements show that cubic GaN on porous GaP substrate has no tensile strain When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/34882 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити