Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2112U001644, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Electrical Properties of High-k Oxide in Pd/Al2O3/InGaAs Stack Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35048 Видання Sumy State University Опис The paper presents the results of capacitance-voltage (C-V) characterization of metal-oxidesemiconductor (MOS) structure, namely Pd/Al2O3/ In0.53Ga0.47As/InP. It is shown that MOS structure under study exhibit both electron and hole trapping with permanent and temporary charge trapping contributions. The interfacial transition layer between the high-k oxide and InGaAs has the greatest influence on this charge trapping phenomenon. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35048 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Electrical Properties of High-k Oxide in Pd/Al2O3/InGaAs Stack
Electrical Properties of High-k Oxide in Pd/Al2O3/InGaAs Stack : публікація 2012-01-01; Сумський державний університет, 2112U001644
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19


Роздрукувати цю сторінку