Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2112U001655, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Porous Silicon Templates with High Aspect Ratio for Nanocomposites Formation Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35088 Видання Sumy State University Опис The paper describes the fabrication process of templates with high aspect ratio suitable for formation of nanomposites with enhanced anisotropy. The templates are thick ordered porous silicon layers formed with the pulsed galvanostatic mode. Characteristic feature of the developed mode is a short reversed polarity pulse of certain amplitude. In the present paper the achieved thickness of porous silicon templates is 50 m with pore diameter 80 nm. The aspect ratio of those structures 1:600. The maximum thickness of formed silicon layers is not principally limited allowing obtaining nanostructures with even higher aspect ratio. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35088 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Porous Silicon Templates with High Aspect Ratio for Nanocomposites Formation
Porous Silicon Templates with High Aspect Ratio for Nanocomposites Formation : публікація 2012-01-01; Сумський державний університет, 2112U001655
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-09


Роздрукувати цю сторінку