Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2112U001687, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Electrical Properties of Al/p-Si Structures with Colchicine Organic Thin Film Автор Дата публікації 01-01-2012 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35140 Видання Sumy State University Опис In this study, we have fabricated an Al/Colchicine/p-Si structure and have investigated its current– voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) characteristics at room temperature. The barrier height and ideality factor values of 0.68 eV and 3.22, respectively, have been obtained from the I-V plot. The value of the barrier height was compared with the barrier height value of 0.50 eV of a conventional Al/p-Si diode. This was attributed to the Colchicine organic film modifying the effective barrier height by affecting the space charge region of the inorganic Si semiconductor substrate. By using C – 2-V characteristics the diffusion potential value has been extracted as 1.32 V. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35140 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Electrical Properties of Al/p-Si Structures with Colchicine Organic Thin Film
Electrical Properties of Al/p-Si Structures with Colchicine Organic Thin Film : публікація 2012-01-01; Сумський державний університет, 2112U001687
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-09


Роздрукувати цю сторінку