Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000336, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lantana Nanooxide Layers Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35551 Видання Sumy State University Опис The intense downscaling of a Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) to nano range for improving the device performance requires a high-k dielectric material instead of conventional silica (SiO2) as to avoid Quantum Mechanical Tunneling towards the gate terminal which leads to unnecessary gate current. Out of all the rare earth oxide materials, since lanthana (La2O3) has significantly high dielectric constant (k) and bandgap, we’ve chosen it as oxide layer for one of the MOSFETs. In this work, we simulated two MOSFETs – one with nano SiO2 oxide layer and other with nano La2O3 oxide layer in the atomic level to analyze and compare the transmission spectra, I-V characteristics and Channel conductance of both the MOSFETs. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35551 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити