Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000432, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Volatile and Non-Volatile Single Electron Memory Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31927 Видання Сумський державний університет Опис Multi Tunnel Junctions (MTJs) have attracted much attention recently in the fields of Single-Electron Devices (SED) in particular Single-Electron Memory (SEM). In this paper, we have design and study a nano-device structure using a two dimensional array MTJs for Volatile and Non-Volatile-SEM, in order to analyze the impact of physical parameters on the performances. We investigate the single-electron circuit characteristics in our devices qualitatively, using single-electron Monte Carlo simulator SIMON. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31927 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити