Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000475, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Stress Topology within Silicon Single-Crystal Cantilever Beam Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31972 Видання Сумський державний університет Опис Qualitative mechanism in line with experimental data on visualization of the domain structure and fine structure of the domain wall in weak ferromagnets has been proposed. The mechanism is based on the phenomenological consideration of Faraday rotation, optical absorption, and atom polarization in response to the radiation exciting Raman scattering. Qualitative agreement of estimates on the scattered radiation intensity in oppositely- magnetized domains with experimental results is good, which made it possible to attack problems of visualization of magnetic entities with nanoscale resolution. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31972 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити