Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000489, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Узгодження каскадів високочастотних електронних пристроїв Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607 Видання Сумський державний університет Опис У роботі описуються особливості моделювання надвисокочастотного електромагнітного взаємовпливу, що формує внутрішній електромагнітний стан монолітних інтегральних схем. Як приклад, наводиться дослідження узгоджуючих пристроїв, що виконані у вигляді смугових ліній. Запропонований спосіб моделювання, дозволяє визначити залежності кінцевих частотних та часових характеристик каскадних схем підсилювачів від морфології узгоджувачів. В такий спосіб відображаються фізичні процеси не лише внутрішнього, але і зовнішнього прояву розподілених у просторі нано та мікро- технологічних смужкових структур. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607 В работе описываются особенности моделирования СВЧ электромагнитного взаимовлияния, фор- мирущего внутреннее электромагнитное состояние монолитных интегральных схем. Как пример, приводится исследования согласующих устройств, выполненных в виде полосовых линий. Предло- женный способ моделирования, позволяет определить зависимости конечных частотных и временных характеристики каскадных схем усилителей от морфологии согласующих устройств. Таким образом отражаются физические процессы не только внутреннего, но и внешнего проявления распределенных в пространстве нано и микро-технологических полосковых структур. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607 The work is aimed to the features of simulation of the microwave electromagnetic interaction, which forms an internal electromagnetic state of monolithic integrated circuits. In particular, we perform the study of matching devices, which are made as the band-pass lines. The proposed simulation technique lets us to determinate the dependence of finite frequency and temporal characteristics of cascading schemes of amplifiers on the morphology of matching devices. In such a way both the internal and external processes in spatially distributed strip nano- and microstructures are reflected. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35607 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити