Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000794, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Characterization of GaN Nanorods Fabricated Using Ni Nanomasking and Reactive Ion Etching: A Top-Down Approach Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30991 Видання Сумський державний університет Опис Large thermal mismatch between GaN surface and sapphire results in compressive stress in Gallium Nitride (GaN) layer which degrades the device performance. Nanostructuring the GaN can reduce this stress leading to reduction in Quantum Confined Stark Effect. Aligned GaN nanorods based nanodevices have potential applications in electronics and optoelectronics. This paper describes the fabrication of GaN nanorods using Ni nanomasking and reactive ion etching. The morphology of GaN nanorods was studied by field emission scanning electron microscopy. The optical properties of GaN nanorods were studied by Cathodoluminescence (CL) spectroscopy. CL results revealed the existence of characteristic band-edge luminescence and yellow band luminescence. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30991 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити