Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000808, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Оптичні та електрохімічні властивості шаруватих кристалів GaSe інтеркальованих нікелем Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 Видання Сумський державний університет Опис Представлені результати досліджень оптичних та електрохімічних властивостей вказують на можливість інтеркаляції шаруватих кристалів GaSe іонами нікелю. Встановлено, що електрохімічне впровадження Ni приводить до монотонного збільшення електродного потенціалу шаруватого напівпровідника GaSe при досягненні концентрації інтеркалянту nNi  1018-1020 см – 3. Внаслідок інтеркаляції нікелем в кристалі GaSe при T  293 K відбувається зростання енергетичного положення екситонного максимуму Еекс на 6 меВ (від 2,008 до 2,014 еВ) та суттєве збільшення напівширини екситонної смуги поглинання Н на 5,2 меВ. При температурі Т  77 К виявлені немонотонні залежності енергетичного положення екситонного максимуму Еекс від концентрації, у сполуках NiGaSe. Представлені залежності Еекс(nNi) для цих сполук впровадження пояснюються як результат конкуренції між впливами внутрішньошарових і міжшарових деформацій, які володіють різними знаками деформаційного потенціалу. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 Предоставленные результаты исследований оптических и электрохимических свойств указывают на возможность интеркаляции слоистых кристаллов GaSe ионами никеля. Установлено, что электрохимиче- ское внедрение Ni приводит к монотонному увеличению электродного потенциала слоистого полупровод- ника GaSe при достижении концентрации интеркалянта nNi  1018-1020 см – 3. Вследствии интеркаляции никелем в кристалле GaSe при Т  293 К происходит увеличение энергетического положения экситонного максимума Еекс на 6 мэВ (от 2,008 до 2,014 эВ) и существенное увеличение полуширины экситонной по- лосы поглощения Н на 5,2 мэВ. При температуре Т  77 К обнаружены немонотонные зависимости энерге- тического положения экситонного максимума Еекс от концентрации в системах NiGaSe. Предоставленные зависимости Еекс(nNi) для этих систем внедрения объясняются как результат конкуренции между влияния- ми между – и внутрислоевых деформаций, которые имеют разные знаки деформационного потенциала. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 The presented results of the investigations of the optical and electrochemical properties indicate the possibility of intercalation of layered GaSe crystals with nickel ions. Established that the electrochemical introduction of Ni leads to a monotonic growth in electrode potential of layered semiconductors GaSe when a concentration of intercalants nNi  1018-1020сm – 3. In consequence of intercalation of nickel in GaSe crystal at T  293 K, occurred ncreases in the energy position of the exciton peak Eeks 6 meV (from 2.008 to 2.014 eV) and the half-width of the exciton absorption bands of H by 5.2 meV. At a temperature T  77 K was detected non- monotonous concentration dependence of the excitonic maximum energy location for Еeks NiGaSe compounds. The dependence Еeks(nNi) for these compounds are explained as a result of the introduction of competition between contributions of inter - and intralayer deformations which have the opposite signs of deformation potential. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35647 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити