Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000897, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Mechanically Stacked Triple-junction GaInP / GaAs / Si Solar Cell Simulation Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35548 Видання Sumy State University Опис Mechanically stacked triple-junction GaInP / GaAs / Si solar cell is simulated by Silvaco TCAD computer software and compared to more conventional GaInP / GaAs / Ge mechanically stacked configuration. External quantum efficiency, I-V characteristics and basic I-V parameters are obtained to demonstrate the advantages of using the silicon active substrate as the bottom sub-cell instead of the germanium substrate based bottom sub-cell. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35548 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити