Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U000953, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Diode Based on Amorphous SiC Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33656 Видання Сумський державний університет Опис Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33656 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити