Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2113U000962, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Study of Photoluminescence Behaviour of Porous Silicon Samples Prepared at 20 mA Current Density Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30973 Видання Сумський державний університет Опис The paper presents a study on a series of porous silicon films of various thicknesses, prepared at 20 mA current density using a photoluminescence fitting model to determine the average crystallite size of sphe-rical shaped interconnected silicon quantum dots. Discrepancy in photoluminescence behavior of the samples is well explained with this model. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30973 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Study of Photoluminescence Behaviour of Porous Silicon Samples Prepared at 20 mA Current Density
Study of Photoluminescence Behaviour of Porous Silicon Samples Prepared at 20 mA Current Density : публікація 2013-01-01; Сумський державний університет, 2113U000962
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку