Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U001026, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Вплив відпалу кристала на орієнтаційну залежність ядерного квадрупольного резонансу в InSe Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 Видання Сумський державний університет Опис Використовуючи метод ЯКР, досліджено залежність інтенсивності спектра від орієнтації кристалографічних осей анізотропного кристала щодо вектора магнітної компоненти високочастотного поля. Наявність залишкової інтенсивності резонансного спектру при Н1c свідчить про присутність в монокристалі дефектів – блоків з малими кутовими границями або іншими порушеннями в атомних шарах. Відпал кристалу при температурі 550 С супроводжується покращенням якості резонансних спектрів ЯКР та дифракційних максимумів на топограмах. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 Используя метод ЯКР, исследована зависимость интенсивности спектра от ориентации кристалло- графических осей анизотропного кристалла относительно вектора магнитной компоненты высокоча- стотного поля. Наличие остаточной интенсивности резонансного спектра при Н1c свидетельствует о присутствии в монокристалле дефектов – блоков с малыми угловыми границами или другими нару- шениями в атомных слоях. Отжиг кристалла при температуре 550 С сопровождается улучшением качества резонансных спектров ЯКР и дифракционных максимумов на топограммах. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 The dependence of the spectrum intensity on the orientation of crystallographic axes of anisotropic crystal with respect to the magnetic component vector of high-frequency field was studied using NQR method. The existence of residual intensity of the resonance spectrum while Н1c indicates the presence of defects in single crystal – blocks with small angle boundaries or other violations of atomic layers. Crystal annealing at the temperature of 550C is accompanied by improvment of quality of NQR resonance spectra and diffraction maxima at topograms. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35644 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити