Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U001382, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Моделювання основних характеристик сонячних елементів на основі гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33899 Видання Видавничий центр НТУ «ХПІ» Опис В роботі з використанням програмного середовища SCAPS-3200 проведено моделювання темнових та світлових ВАХ, а також спектральних розподілів квантової ефективності плівкових сонячних елементів (СЕ) на основі ідеальних гетеропереходів n-ZnS/p-CdTe і n-CdS/p-CdTe. Показано, що заміна традиційного матеріалу віконного шару фотоперетворювачів CdS на більш широкозонний матеріал ZnS приводить до зростання ККД. Встановлені конструктивні параметри СЕ на основі багатошарової системи n-ZnS/p-CdTe, які забезпечують їх максимальну ефективність. Вироблені рекомендації щодо оптимізації технології створення реальних дешевих та високоефективних плівкових перетворювачів сонячної енергії. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33899 В работе с использованием программной среды SCAPS-3200 проведено моделирование темновых и световых ВАХ, а также спектральных распределений квантовой эффективности пленочных солнечных элементов (СЕ) на основе идеальных гетеропереходов n-ZnS/p-CdTe и n-CdS/p-CdTe. Показано, что замена традиционного материала оконного слоя фотопреобразователей CdS на более широкозонный материал ZnS приводит к росту их КПД. Установлены конструктивные параметры СЕ на основе многослойной системы n-ZnS/p-CdTe, обеспечивающие их максимальную эффективность. Выработаны рекомендации по оптимизации технологии создания реальных дешевых и высокоэффективных пленочных преобразователей солнечной энергии. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33899 Modeling of dark and light I-V characteristics and spectral response of quantum efficiency of solar cell films on the basis of ideal n-ZnS/p-CdTe and n-CdS/p-CdTe heterojunctions with the use of SCAPS-3200 software environment is held in this work. It is shown that the replacement of traditional material of window layer of photovoltaic devices with more wide area ZnS material leads to increase of their efficiency. The constructive parameters of solar cells on the basis of multilayer n-ZnS/p-CdTe system which provide their maximal efficiency were established. It makes possible to optimize the technology of obtaining real cheap and highly effective thin film solar energy transformers. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33899 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити