Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U001842, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Strong Room-Temperature Photoluminescence of Si-rich and N-rich Silicon-Nitride Films Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35162 Видання Sumy State University Опис Si-rich and N-rich silicon nitride films were deposited at low temperature 300 °C by using plasmaenhanced chemical vapor deposition (PECVD). The optical and structural properties of these films have been investigated by ellipsometry, Rutherford backscattering (RBS), transmission electron microscopy (TEM), Raman spectroscopy (RS) and photoluminescence (PL). The formation of silicon clusters in both Sirich and N-rich silicon nitride films after annealing at 900 °C and 1000 °C for hour in N2 ambient has been shown by TEM. Dependency of PL spectra on stoichiometry and post-annealing temperature was analyzed. The contribution of Si and N-related defects in emitting properties of Si-rich and N-rich SiNx has been discussed. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35162 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити