Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2113U001922, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Photochemical Behavior of Type-II Semiconductor Heterodimers Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35176 Видання Sumy State University Опис Type-II semiconductor heterodimers with a staggered alignment of band edges at the heterointerface can promote spatial charge separation of the electron and hole in different parts of the heterodimer for photocatalytic and photovoltaic applications. In this paper, the two kinds of CdS-based type-II semiconductor heterodimers were successfully synthesized. Type-II CdS-CdTe heterodimers without any defects exhibited clear photo-induced electron transfer, whereas CdS-Cu31S16 heterodimers showed dominant consumption of photogenerated carries via vacancy-induced decay processes. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35176 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Photochemical Behavior of Type-II Semiconductor Heterodimers
Photochemical Behavior of Type-II Semiconductor Heterodimers : публікація 2013-01-01; Сумський державний університет, 2113U001922
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-09


Роздрукувати цю сторінку