Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2113U002020, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Retention Behaviour of MNOS Memory Devices with Embedded Si or Ge Nanocrystals – Computer Simulation Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35385 Видання Sumy State University Опис The charge retention behaviour of MNOS structures with embedded Si or Ge nanocrystals are studied by computer simulation. It is obtained that the oxide thickness and the location of nanocrystlas affect the retention behaviour very strongly. The retention time changes from a few ms to several years. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35385 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Retention Behaviour of MNOS Memory Devices with Embedded Si or Ge Nanocrystals – Computer Simulation
Retention Behaviour of MNOS Memory Devices with Embedded Si or Ge Nanocrystals – Computer Simulation : публікація 2013-01-01; Сумський державний університет, 2113U002020
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку