Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U002075, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Influence of Impact Ionization Process on Current-Voltage Characteristics of Nanoscale Silicon n-Channel MOSFET Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35371 Видання Sumy State University Опис The current-voltage characteristics of nanoscale silicon n-channel MOSFET with 50 nm channel length are calculated in the present study. Both the electron and hole transport are simulated by means of the en-semble Monte Carlo method. The importance of electron impact ionization process in the transistor chan-nel for drain biases higher than 1 V is shown. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35371 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити