Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2113U002120, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Depth Profiling of Multilayer Mo/Si Nanostructures Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35262 Видання Sumy State University Опис A round-robin characterization is reported on the sputter depth profiling of [60(3.0 nm Mo/ 0.3 nm B4C/ 3.7 nm Si)] and [60  (3.5 nm Mo/ 3.5 nm Si)] stacks deposited on Si (111). Two different commercial secondary ion mass spectrometers with time-of-flight and magnetic-sector analyzers and a pulsed radio frequency glow discharge optical emission spectrometer were used. The pros and cons of each instrumental approach are discussed. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35262 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити