Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2114U000640, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Multiangular and Spectral Ellipsometry for Semiconductor Nanostructures Classification Автор Дата публікації 01-01-2014 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955 Видання Sumy State University Опис Досліджені можливості багатопараметричного визначення напівпровідникових наноструктур на основі спектральних залежностей поляризованого випромінювання коефіцієнта відбиття Rp, Rs від кута падіння в діапазоні 200-800 нм. Експериментальні дані показали високі коефіцієнти чутливості відбивання кутової залежності від типу полікристалічних структур. Наявність додаткових спектральних екстремумів в залежності від заломлення і поглинання може бути пов'язане з розміром зерен по- лікристалічної структури і типу меж зерен. Показана можливість багатопараметричного дослідження. оптичних властивостей і товщини напівпровідникових шарів на кремнієвій підкладці. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955 Исследованы возможности многопараметрического определения полупроводниковых нанострук- тур на основе спектральных зависимостей поляризованного излучения коэффициента отражения Rp, Rs от угла падения в диапазоне 200-800 нм. Экспериментальные данные показали высокие коэффициенты чувствительности отражения угловой зависимости от типа поликристаллических структур. Наличие дополнительных спектральных экстремумов в зависимости от преломления и поглощения может быть связано с размером зерен поликристаллической структуры и типа границ зерен. Показана возможность многопараметрического исследования оптических свойств и толщины полупроводниковых слоев на кремниевой подложке. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955 The possibilities of multiparameter determination of semiconductor nanostructures based on spectral dependencies of polarized radiation reflection coefficient Rp, Rs on the incidence angle in the range of 200- 800 nm are investigated. Experimental data have shown high sensitivity of reflection coefficients angular dependence to the type of polycrystalline structures at the same film thickness. The presence of additional extremums in spectral dependence of refraction and absorption indexes is detected; this could be connected with grain size of polycrystalline structure and type of grain boundaries. The possibility of multiparameter optical research of properties and thickness of semiconductor layers on Si substrate is shown. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35955 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити