Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2114U001643, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Дослідження вихідних та температурних характеристикGaAs-фотоперетворювачів Автор Дата публікації 01-01-2014 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39871 Видання Сумський державний університет Опис Показано, що у фотовольтаічних германієвих p-n- переходах поряд з дифузійним необхідно враховувати і тунельний механізм протікання струму. У роботі на основі двоекспоненціальної моделі темнових ВАХ досліджено дифузійно-тунельний механізм струмопереносу в одно перехідній Ga фото комірці як базового елементу тандемного фотопе ретворювача (ФП) GaInP/GaInAs/Ge. Проведено дослідження температурних характеристик тунельного та дифузійного струмів германієвої фотокомірки за допомогою різних моделей для визначення ширини забороненої зони. Показано,що температура має більший вплив на щільність дифузійного струму, ніж тунельного. Із використанням спектральної методики проведено моделювання вихідних параметрів германієвого субелемента (СЕ) при варіації його макропараметрів і спектру поглинання. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити