Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2114U001703, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Simulation of Radiation Effects in SiO2/Si Structures Автор Дата публікації 01-01-2014 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/37281 Видання Sumy State University Опис We describe space-time evolution of electric charge induced in dielectric layer of simulated metal-insulator-semiconductor structures due to irradiation with X-rays. The system of equations used as a basis of the simulation model is solved iteratively by efficient numerical method. The obtained simulation results correlate well with the respective data presented in other scientific publications. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Стаття
Simulation of Radiation Effects in SiO2/Si Structures
Simulation of Radiation Effects in SiO2/Si Structures : публікація 2014-01-01; Сумський державний університет, 2114U001703
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку