Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2114U001731, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Structural properties of ZnO1-хSx deposited by chemical bath deposition Автор Дата публікації 01-01-2014 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/38343 Видання Видавництво Львівського національного університуту імені Івана Франка Опис ZnO1-хSx alloys have attracted a special interest of researchers due to the possibility of controlled change of the band gap in a wide range from 3.37 eV (ZnO) to 3.68 eV (ZnS). This allows creating of effective UV photodetectors, electroluminescent devices, and others. The use of ZnO1-хSx buffer layers instead of ZnO can increase the conversion efficiency of thin-film solar cells based on CdTe, Cu(In, Ga)Se2 and Cu2ZnSnS4. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити