Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2114U002079, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Magnetic tunnel junctions as a storage element for memory device Автор Дата публікації 01-01-2014 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35037 Видання Сумський державний університет Опис Spin-dependent tunneling in magnetic tunnel junctions (MTJs) has recently aroused great research interest and has developed into a separate branch of materials science. The large tunneling magnetoresistance (TMR) observed in MTJs got much attention due to possible applications in non-volatile random access memories and next generation sensors of magnetic field. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35037 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Thesis
Magnetic tunnel junctions as a storage element for memory device
Magnetic tunnel junctions as a storage element for memory device : публікація 2014-01-01; Сумський державний університет, 2114U002079
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку