Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2115U000653, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39054 Видання Sumy State University Опис The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of the IGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electrons with an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company International Rectifier IRGB14C40L are discussed. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors
Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electrons on the Electrical Parameters of the IGBT-transistors : публікація 2015-01-01; Сумський державний університет, 2115U000653
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку