Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U000694, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Использование пористых соединений А3В5 для обкладок суперконденсатора Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39065 Видання Сумский государственный университет Опис В якості заміни активованого вугілля для електродів суперконденсаторів запропоновано використання пористих пластин GaAs і GaP. Поруваті обкладки отримані методом електрохімічного травлення. Наводиться опис методики отримання суперконденсаторів на основі пористих напівпровідників А3В5. Площа пористої поверхні визначена методом газової адсорбції. Описано спосіб розрахунку електричної ємності суперконденсатора, створеного на пористих пластинах GaAs і GaP. В качестве замены активированного угля для электродов суперконденсаторов предложено использование пористых пластин GaAs и GaP. Пористые обкладки получены методом электрохимического травления. Приводится описание методики получения суперконденсаторов на основе пористых полупроводников А3В5. Площадь пористой поверхности определена методом газовой адсорбции. Описан способ расчета электрической емкости суперконденсатора, созданного на пористых пластинах GaAs и GaP. Use of GaAs and GaP porous plates is proposed as a replacement of activated carbon electrodes for supercapacitors. Porous electrodes are prepared by electrochemical etching. Description of the production technique of supercapacitors based on porous semiconductors A3B5 is presented. Area of the porous surface is defined by gas adsorption method. The method for calculation of supercapacitor capacitance created on GaAs and GaP porous plates is described. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити