Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U000698, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Optimization of Energy Conversion Efficiency Betavoltaic Element Based on Silicon Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43189 Видання Sumy State University Опис It was developed the technology of manufacturing planar betavoltaic converter based on silicon, providing a higher rate of conversion of ionizing radiation into electrical energy by reducing reverse currents. The active region of silicon p-i-n structure is 1 cm2, which is irradiated by the of radionuclide 63Ni with the activity 2,7 mCi/cm2. The results of experimental studies of C-V samples are presented. The values of the open-circuit voltage (Voc) 0.111 V are presented and short circuit current density (Jsc) 27 nA/cm2. The maximum density of output power (Pmax) was 1.52 nW/cm2. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити