Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2115U000951, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Analysis of the p-i-n-structures Electrophysical Characteristics Influence on the Spectral Characteristics Sensitivity Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41477 Видання Sumy State University Опис In this paper the simulation of the silicon p-i-n-photodiodes spectral sensitivity characteristics was carried out. The analysis of the semiconductor material characteristics (the doping level, lifetime, surface recombination velocity), the construction and operation modes on the photosensitive structures characteristics in order to optimize them were investigated. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Analysis of the p-i-n-structures Electrophysical Characteristics Influence on the Spectral Characteristics Sensitivity
Analysis of the p-i-n-structures Electrophysical Characteristics Influence on the Spectral Characteristics Sensitivity : публікація 2015-01-01; Сумський державний університет, 2115U000951
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку