Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2115U001137, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41375 Видання Sumy State University Опис The present paper is about the modeling of surface potential and threshold voltage of Fully Depleted Silicon on Insulator MOSFET. The surface potential is calculated by solving the 3D Poisson’s equation analytically. The appropriate boundary conditions are used in calculations. The effect of narrow channel width and short channel length for suppression of SCE is analyzed. The narrow channel width effect in the threshold voltage is analyzed for thin film Fully Depleted SOI MOSFET. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation
Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation : публікація 2015-01-01; Сумський державний університет, 2115U001137
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку