Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U001755, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43017 Видання Сумський державний університет Опис У роботі описуються дослідження дислокаційної електролюмінесценції монокристалів кремнію p- типу з високою концентрацією дислокацій на поверхні (111). Приводяться впливи високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню на спектри люмінесценції та ємнісно-модуляційні спектри зразків. З аналізу результатів встановлена природа центрів рекомбінації та їх перебудова при високотемпературному відпалі. Показано, що осадження плівки Al на підкладку p-Si приводить до формування деформаційного потенціалу і, як наслідок, локалізації у приповерхневому шарі дефектів з об’єму кристалу, що відповідають центрам свічення. В работе описываются исследования дислокационной электролюминесценции монокристаллов кремния p-типа с высокой концентрацией дислокаций на поверхности (111). Приводятся влияния высокотемпературного отжига в атмосфере проточного кислорода на спектры люминесценции и емкостно-модуляционные спектры образцов. Из анализа результатов установлена природа центры рекомбинации и их перестройка при высокотемпературном отжиге. Показано, что осаждение пленки Al на подложку p-Si приводит к формированию деформационного потенциала и, как следствие, локализации в приповерхностном слое дефектов из объема кристалла, которые соответствуют центрам свечения. The paper describes research of dislocation electroluminescence of single crystal p-type silicon with a high concentration of dislocations on the surface (111). It is shown the reaction of the luminescence spectra and capacitive-modulation spectra of samples after high-temperature annealing in an atmosphere of flowing oxygen. The analysis of the results lets us to establish the nature of recombination centers and their reorganization under high-temperature annealing. It is shown that deposition of Al film on the substrate p-Si leads to the formation of strain capacity and the localization of defects in the surface layer that corresponds to luminescence centers. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити