Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U001792, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Розсіювання електронів для одновісно деформованих монокристалів n-Ge Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42975 Видання Сумський державний університет Опис Досліджено розсіяння електронів в (L1 – ∆1) моделі зони провідності монокристалів n-Ge, утвореної одновісним тиском вздовж кристалографічного напрямку [100]. Одержані експериментальні результати та проведені теоретичні розрахунки температурних залежностей питомого опору для одновісно деформованих монокристалів n-Ge показують, що для діапазону одновісних тисків від 1,4 до 2,3 ГПа суттєвим стає нееквівалентне міждолинне розсіяння електронів між L1 та Δ1 мінімумами, відносний вклад якого залежить від величини одновісного тиску. Наявність максимуму для залежностей сталої Холла від одновісного тиску при P ~ 2,1 ГПа, коли енергетична щілина між L1 та Δ1 “захлопується”, пояснюється найбільшою ефективність даного механізму розсіяння при таких тисках. Исследовано рассеяние электронов в (L1-Δ1) модели зоны проводимости монокристаллов n-Ge, образованной одноосным давлением вдоль кристаллографического направления [100]. Полученные экспериментальные результаты и проведенные теоретические расчеты температурных зависимостей удельного сопротивления для одноосно деформированных монокристаллов n-Ge показывают, что для диапазона одноосных давлений от 1,4 до 2,3 ГПа существенным становится неэквивалентное междолинное рассеяния электронов между L1 и Δ1 минимумами, относительный вклад которого зависит от величины одноосного давления. Наличие максимума для зависимостей постоянной Холла от одноосного давления для P ~ 2,1 ГПа, когда энергетическая щель между L1 и Δ1 “захлопывается”, объясняется наибольшей эффективностью данного механизма рассеяния при таких давлениях. The electron scattering in the (L1 – Δ1) model of the conduction band of n-Ge single crystals formed by uniaxial pressure along the crystallographic direction [100] has been investigated. Obtained experimental results and performed theoretical calculations show that nonequivalent intervalley electron scattering bet-ween L1 and Δ1 minima becomes significant for the range of uniaxial pressures from 1.4 to 2.3 GPa and the relative contribution of this scattering depends on the magnitude of the uniaxial pressure. The presence of the maximum for the dependences of the Hall coefficient on the uniaxial pressure for P ~ 2.1 GPa, when the energy gap between L1 and Δ1 “is closed”, is explained by greatest efficiency of the given scattering mechanism for such pressures. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити