Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U002064, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Залежність параметрів низькочастотної дисперсії від одновісного тиску у кристалах GaSe Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40691 Видання Сумський державний університет Опис В частотному діапазоні діелектричного спектра, в якому домінує низькочастотна дисперсія (НЧД), дійсна та уявна частини відносної діелектричної проникності зростають з пониженням частоти змінного електричного поля відповідно до степеневого закону 1/1-n з малими значеннями n. З пониженням частоти на декілька порядків дійсна та уявна частини діелектричної проникності матеріалу можуть зрости на, приблизно, таке ж саме значення порядків. Не зважаючи на великі значення діелектричної проникності та діелектричних втрат на низьких частотах, детальні дослідження НЧД часто вказують саме на об’ємний характер процесів поляризації. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити