Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U002130, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Hard Si-C-N Chemical Vapor Deposited Films Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42711 Видання Sumy State University Опис Si-C-N thin films were deposited on silicon substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using hexamethyldisilazane as the main precursor. An influence of substrate temperature (TS) on film properties was analyzed. It was established that the deposited films were x-ray amorphous. The growth of the films slows down with increasing substrate temperature. The distribution of Si–C, Si–N and C–N bonds were almost independent of TS, whereas the number of С–Н, Si–H and N–H bonds essentially decreased when substrate temperature increased. The nanohardness and elastic modulus increased with TS due to a reduction of the weak hydrogen bonds. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити