Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U002139, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Thesis Назва роботи Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40792 Видання Сумський державний університет Опис Карбід кремнію давно відомий напівпровідниковий матеріал з унікальним сполученням в ньому фізичних та хімічних властивостей, що робить його перспективним для використання в екстремальних умовах. Відомо, що SiC має більш ніж 230 кристалографічних модифікацій, та найбільш стійкими являються 3С-SiC, 4H-SiC і 6H-SiC. Але при отриманні конденсатів карбіду кремнію виникає ряд проблем, пов’язаних зі слабкою летючістю та високою енергією десорбції складових компонентів. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити