Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U000556, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи A Two Dimensional Surface Potential Model for Triple Material Double Gate Junctionless Field Effect Transistor Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49797 Видання Sumy State University Опис In this paper, a two dimensional analytical Surface Potential model for the triple material double gate (TMDG) junctionless-field effect transistor (JLFET) in sub-threshold region has been presented. The effect of source and drain depletion width has also been taken into account. We have solved two-dimensional Poisson’s equation for the Surface Potential. Then the centre potential and the electric field is also obtained. We have calculated the surface potential for different channel lengths. All the modelled results are then compared with the simulated results of the 2D device simulator TCAD. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити