Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U000590, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Influence of the SHI Irradiation on the XRD, AFM, and Electrical Properties of CdSe Thin Films Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45518 Видання Sumy State University Опис Cadmium Selinide (CdSe) thin films prepared by thermal evaporation on glass substrates were irradiated with swift (100 MeV) Ni+7 ions at fluences of 1 × 1011 and 1 × 1012 cm – 2. The structural changes with respect to increasing fluence were observed by the means of X-ray diffraction (XRD). The modification in surface morphology and electrical properties has been analyzed as a function of fluence using XRD, AFM and I-V techniques. The AFM micrographs of irradiated thin films show the formation of small spherical grains and decrease in surface roughness with increasing fluence as well as I-V measurement revels that decrease in resistivity with increasing fluence. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити