Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U000629, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Carrier Scattering Mechanisms in Bismuth Films Doped with Tellurium Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47285 Видання Sumy State University Опис The article compares carrier mobility in monocrystals, as well as monocrystal and block films of different width thus defining carrier contribution to interaction with phonons, surface, boundaries and structural defects of crystallites in bismuth films doped with tellurium. It is determined that there is a linear dependence of inverse electron mobility on inverse width of bismuth film doped with tellurium. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити