Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U000633, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Femtosecond Laser Crystallization of Boron-doped Amorphous Hydrogenated Silicon Films Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47500 Видання Sumy State University Опис Crystallization of amorphous hydrogenated silicon films with femtosecond laser pulses is one of the promising ways to produce nanocrystalline silicon for photovoltaics. The structure of laser treated films is the most important factor determining materials' electric and photoelectric properties. In this work we investigated the effect of femtosecond laser irradiation of boron doped amorphous hydrogenated silicon films with different fluences on crystalline volume fraction and electrical properties of this material. A sharp increase of conductivity and essential decrease of activation energy of conductivity temperature dependences accompany the crystallization process. The results obtained are explained by increase of boron doping efficiency in crystalline phase of modified silicon film. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити