Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2116U000683, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49697 Видання Sumy State University Опис The implementation of high-k gate dielectrics is one of several strategies developed to allow further miniaturization of microelectronic components. From the simulation result; it was shown that HfO2 is the best dielectric material with metal gate TiN, which giving better subthreshold swing (SS), drain-induced barrier lowing (DIBL), leakage current Ioff and Ion/Ioff ratio. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити