Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U000720, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Optical and Structural Characterization of Pin Photodetector Based on Germanium Nanocrystals for Third Generation Solar Cells Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/49682 Видання Sumy State University Опис We investigated the structural and optoelectronic properties of p-n germanium nanocrystals based junctions embedded between GaAs substrate and layers of ZnO:Al or a-Si:H. Scanning electron microscopy and scanning tunneling microscopy were used on these junctions in this work. Calculations of tunneling current on the substrate showed effect of localized defects trapping Fermi level at the surface tending to make a semi-insulating substrate. The average value of the diameter of the Ge nanoparticle is around 12.5 nm. These results lay the foundation for the development of solar cells which active part is made of GeNCs. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Optical and Structural Characterization of Pin Photodetector Based on Germanium Nanocrystals for Third Generation Solar Cells
Optical and Structural Characterization of Pin Photodetector Based on Germanium Nanocrystals for Third Generation Solar Cells : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U000720
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку